东莞市星火太阳能科技股份有限公司

18188896190
4001898908
星火太阳能和你一起了解更多太阳能资讯
光伏四环节十大技术变革
返回列表 来源: 发布日期: 2022.05.17 浏览次数:

由于上游原材料上涨,能源成本上升,光伏在2021各环节均开始出现新的技术变化,背后核心矛盾是现有的产业链降本已到瓶颈期。

硅料新技术:颗粒硅


1、原理与工艺介绍
硅料新技术:颗粒硅 - 改良 西门子法:目前全球主流的硅料生产工艺,原理是1050℃左右的硅芯上用氢气还原三氯氢硅,生成多 晶硅沉积在硅芯上。还原工艺采用多晶硅还原炉,其将分解的硅单质沉积在硅芯上慢慢长成硅棒,这种工艺 经过西门子改良后基本实现无排放且安全性大幅提升,从而推广。基于此,改良西门子法是利用多晶硅还原 炉,采用气相沉积的方式生产棒状硅的工艺。
硅烷流化床法(FBR):原理是将细小的硅颗粒种子铺在有气孔的流化床层上,然后从下面通入硅烷,这 时硅颗粒种子具备流体特征,在加热等反应下,硅单质沉积在硅颗粒种子上,生成体积较大的硅粒,通过出 料管送出流化床设备。基于此,硅烷流化床法是利用流化床设备,采用硅烷裂解的方式生产颗粒硅的工艺。
2、碳足迹是推进亮点 全面拥抱新技术
颗粒硅的优势:一是成本更低,重点关注减碳前景。颗粒硅投资强度、电耗、人工成本更低。2021年6月, 中能硅业拿到国内颗粒硅首张碳足迹证书,每千克颗粒硅碳足迹数值为20.74千克二氧化碳当量(对标瓦克 57.559千克)。二是投料优势。对于多次装料拉晶( RCz )工艺,颗粒硅能够减少对炉壁损伤,且流动性更优; 对于连续拉晶(CCz)工艺,颗粒硅可以100%满足投料需求,具备更佳的适配性。
颗粒硅的劣势:一是“碳”,即颗粒硅碳元素含量相对较高最终影响拉晶品质;根据协鑫披露目前生产的 颗粒硅碳含量低于0.4PPMA,达到客户量产标准。二是“氢”,即颗粒硅含氢量高导致出现跳硅问题。根据江 苏中能反馈,通过加热后能够对氢进行释放,目前氢含量已降至10PPM。三是“粉”,即粉尘问题影响拉晶品 质。
3、硅料设备市场空间较小,重点关注CCz应用
颗粒硅产业进展:目前国内颗粒硅技术主要由保利协鑫进行牵头布局,2020年9月8日,公司旗下江苏中能规划产能10万吨, 首期5.4万吨颗粒硅项目开建,在原有6000吨产能基础上进行扩容,2021年2月3日,公司江苏中能徐州基地颗粒硅有效产能由6000 吨提升至10000吨。2021年11月18日,江苏中能与 上机数控签订长协,期限为2022年1月1日-2026年12月31日,预计采购合同为 262亿元(含税)。
颗粒硅设备市场空间:颗粒硅生产工艺与棒状硅完全不同,因此设备需要全部更新,主要设备为流化床、换热器等。考虑到协 鑫颗粒硅设备已实现国产化,预计颗粒硅设备投资6亿元/万吨。我们预计2022年国内颗粒硅产能达3万吨,对应市场空间18亿元。p 重点关注CCz设备应用:2020年12月,协鑫与 天通股份签订设备采购协议,主要针对颗粒硅产能规模应用;2021年1月,双方 成立合资公司徐州鑫诚,天通持股40%。天通股份为江苏协鑫提供308台直拉单晶炉,用于协鑫新增的颗粒硅材料产能规模化应 用。

硅片新技术:铸锭单晶、N型


1、铸锭单晶:原理及优势介绍
铸锭单晶(cast-mono wafer)介绍:铸锭单晶硅片指采用多晶铸锭炉,在常规多晶铸锭工艺的基础上加入单 晶籽晶,定向凝固后形成方型硅锭,并通过开方、切片等环节,最终制成单晶硅片。铸锭单晶的优势:①对硅 料要求低,硅料成本是常规拉晶的一半以下;②采用多晶技术,电耗更低。
铸锭单晶的问题:①转换效率较拉晶有所降低;②单晶出材率。协鑫是行业先行者,其于2011年发布“鑫 单晶”,此后持续完善,但尚未大规模推广的原因是单晶出材率低,摊薄了硅料及电耗成本。2021年,以海源 复材、金阳 新能源为代表的企业在传统基础上进行改进,进一步提高了出材率。
2、铸锭单晶:不是颠覆,而是资源回收利用
铸锭单晶是对直拉单晶的补充。铸锭单晶所采用的硅料来源为四类:①直拉单晶不能使用的硅料,如头尾 料、碎料等;②切片产生的废料;③单晶硅料不能用的回料,如锅底料;④报废组件回收料。 海源复材是目前A股铸锭单晶龙头,其第一大股东赛维目前已取得3万吨回收硅料项目生产线批复,预计 2022年将实现GW级铸锭单晶硅片产能释放。
3 铸锭单晶:配合HJT性价比突出
硅片新技术:铸锭单晶、N型 。铸锭单晶需要验证逻辑为两点:目前铸锭单晶182售价为3.9元/片,较直拉单晶硅片便宜,具备明显性价比。 但有两个环节仍需进一步验证:一是铸锭单晶电池的效率损失是否可接受,根据协鑫及 海源复材披露数据, 铸锭单晶相较于直拉单晶做成的电池效率损失在0.3-0.5%;二是铸锭单晶的单晶出材率是否达到盈利水平。
铸锭单晶+HJT有望对PERC进行部分替代。根据测算,铸锭单晶+HJT较PERC具备明显性价比,可以同时 实现效率及成本优势。(报告来源:未来智库)

电池新技术:TOPCon、HJT、 IBC以及钙钛矿


1、TOPCon电池结构及特点
TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)通常采用N型结构,与PERC相比 的改进是增加了遂穿层,其包括两层结构:一是1-2nm的超薄SiO2作为遂穿层实现钝化,二是100nm的掺杂多 晶硅层形成背面的异质结结构。
优点:转换效率相较于PERC更高,且能够与PERC产线进行兼容,2021年平均转换效率超过24%。
缺点:产线具备持续升级压力;工艺较为复杂,良率相对较低。
2、TOPCon工艺介绍
TOPCon相较于PERC而言主要是两个变化:一是N型电池结构(正面硼扩替代磷扩,背面高低结需要掺 磷);二是增加了隧穿层(SiO2)和多晶硅(本征poly Si)。TOPCon工艺尚未定型。主要分歧在于隧穿层及 多晶硅镀膜工艺有所区别,目前的主流工艺是LPCVD+磷扩。
3、TOPCon工艺:存在的问题及技术对比
TOPCon早期存在的问题主要有三点:一是硼扩替代磷扩后工艺温度更高;二是氧化隧穿及多晶硅层后容 易出现绕镀,且镀膜均匀性较差;三是离子注入设备相对较贵。随着LPCVD、硼扩散设备成熟、二次磷扩替代 离子注入、通过RCA清洗或单面掩膜等方式控制绕镀后,TOPCon的工艺趋于稳定,且良率从早期的70-80%提 升至95%以上。
PECVD工艺优势明显,目前正处于产业化验证。管式PECVD进行原位掺杂从工艺流程来看有所节省,同 时镀膜速度提升,且较大程度解决绕镀问题,有望成为未来的主流工艺,目前正处于持续验证之中。

组件新技术:串焊工艺匹配


1、设备空间:单GW投资额降至6300万
组件设备:组件设备是指将电池片进行串联和并联形成组件的设备,包括串焊机、汇流条自动焊接机、层 压机、削边机、EL测试仪、全自动装框机、接线盒设备、清洗设备、IV测试仪。
市场空间:截至2020年底组件设备单GW投资额已降至6300万元,其中串焊机设备是核心,一条250MW 的产线需配置4台串焊机,单台价格在135-150万元,即串焊机的单GW投资为2000-2400万元,是最核心的 组件设备。预计2021年组件产能扩产95.1GW(182+210),对应设备市场空间为60亿元,对应串焊机市场 空间为20亿元。
2、串焊机技术迭代:MBB、大尺寸、异质结 组件新技术:串焊工艺匹配
MBB影响:串焊机是将光伏电池片通过焊带进行串联的设备,随着电池尺寸的增大和主栅数量的增加, 串焊机设备将迎来升级换代需求。多主栅电池对于设备的焊接能力、精度、稳定程度要求均有大幅的提 高,5BB升级到9BB串焊机需要更换串焊机,并使用特殊的助焊剂,9BB继续升级通过更换工装实现。
大尺寸影响:串焊机需升级成为182、210型号串焊机,设备需进行更换。182串焊机可以通过改造升级 为210串焊机,但无法在现场改造,且产能优势不明显,因此也以更换新机型为主。210机型不仅可以满 足210电池生产,同时能够向下兼容,生产效率也相对更高。更为重要的是,串焊机在组件环节出现了 182、210两次尺寸迭代。

HJT影响:HJT是全程低温工艺,因此传统的高温串焊方式需要更改,针对HJT有专门串焊机设计,会带动设备更新需求 。 

Mar gheall ar ardú na n-amhábhar i dtús agus na gcostas fuinnimh, thosaigh athruithe teicneolaíocha nua a thaispeáint i ngach nasc den photóvoltaicí in 2021.
Teicneolaíocht nua d'ábhar síolóin: síolóin ghránach
1. Prionsabal agus cur isteach próisis
Teicneolaíocht nua ábhair shílicéine: síolcón gránach - modh Siemens feabhsaithe: faoi láthair, tá próiseas táirgthe ábhair shílicéine príomhshrutha domhanda bunaithe ar an bprionsabal go laghdaítear an trichlóróisilán le hidrigin ar chroí an tsílicéin ag thart ar 1050 [UNK] chun síolcón póilchrostailíneach a ghiniúint agus a thaisceadh ar chroí an ts Glacann an próiseas laghdaithe le horn laghdaithe pólisílicín, a thaisceann an substaint aonair síilícín dhíchumasaithe ar chroí na síilícone agus fás go mall go dtí slat síilícone. Tar éis feabhas a chur ar Siemens, ní thugann an próiseas seo tuiscint ar aon astuithe agus feabhsaíonn sé go mór an tsábháilteacht, ionas go bhféadfar é a dhaonlathú. Bunaithe air sin, is próiseas Siemens feabhsaithe a bhaineann le sílicín slata a tháirgeadh trí thaisceadh vapor i bhfoirne laghdaithe pólisílicín.
Modh leaba scaoilte síliana (FBR): Is é an prionsabal síolta cáithníní síliana beaga a leagan ar an tsraith leaba scaoilte le pórai, agus ansin sílian a thabhairt isteach ó thíos. Sa tráth seo, tá saintréithe scaoilte ag síliana cáithníní síliana. Faoi théimniú agus imoibrithe eile, taiscfear an substaint shilianach simplí ar síolta cáithníní síliana chun cáithníní móra síliana a ghiniúint, a sheolaítear amach as an trealamh leaba scaoilte tr Bunaithe ar an bpróiseas seo, is próiseas leaba folamhnaithe síolaine ná próiseas síolóin ghránach a tháirgeadh trí bhracadh síolaine a úsáideann trealamh leaba folamhnaithe.
2. Is é an t-ardchló carbóin an teicneolaíochtaí nua a chur chun cinn agus a ghlacadh ar bhealach ar fad
Tá an fócas ar chostas níos ísle cáithníní síilicóin. Tá dlús infheistíochta níos ísle ag silicón gránach, ag tomhaltas cumhachta agus ag costas saothair. I Meitheamh 2021, fuair an tsílicín Zhongneng an chéad deimhniú ar chosaint charbóin de shílicín gránálach baile, agus bhí an chosaint charbóin in aghaidh an chileagraim de shílicín gránálach 20.74 kg comhionann le díocsaíd charbóin (i gcomparáid le 57.559 kg de wack). Ar an dara dul, buntáiste bia. Maidir leis an bpróiseas RCZ, is féidir leis an tsílicín ghránach an damáiste ar bhalla an fhuaine a laghdú agus tá leachtacht níos fearr aige; For continuous crystal drawing (CCZ) process, granular silicon can meet the feeding demand 100% and has better adaptability.
míbhuntáistí an tsílicéin ghránach: is é "carbón" amháin, is é sin, go bhfuil cion carbóin an tsílicéin ghránaigh go coibhneasach ard, rud a dhéanfaidh difear do cháilíocht tarraingthe na gcristála ar deireadh; De réir nochtadh GCL, is lú ná 0.4 ppma an cion de charbón silicóin ghránach a tháirgtear faoi láthair, a chomhlíonann caighdeán olltáirgthe an chustaiméara. Is é an dara "hidrigin", is é sin, go dtiocfaidh an t-ardchion hidrigine sa tsílicín ghránach fadhb an tsílicín léim. De réir an fhaisnéise ó Jiangsu Zhongneng, is féidir hidrigin a scaoileadh tar éis téamh. The third is "powder", that is, the dust problem affects the crystal drawing quality.
3. Is beag spás margaidh trealaimh ábhair síliacóin agus is é feidhmiú CCZ an fócas
Ar an 8 Meán Fómhair 2020, cuireadh tús le cumas táirgthe éifeachtach silicium ghránach i Jiangsu Zhongneng ó 6000 tona go 10000 tona. Ar an 18 Samhain 2021, shínigh Jiangsu Zhongneng comhaontú fadtéarmach le CNC Shanghai don tréimhse ón 1 Eanáir 2022 go dtí an 31 Nollaig 2026.
Spás margaidh trealaimh silicóin ghránach: tá próiseas táirgthe silicóin ghránach difriúil go hiomlán ó phróiseas táirgthe silicóin ghránach, mar sin ní mór an trealamh a nuashonrú. Agus aird á tabhairt ar shuíomh trealaimh silicóin ghránach GCL, is dócha go mbeidh infheistíocht trealaimh silicóin ghránach 600 milliún iuan / 10000 tona. Bíonn sé ag súil againn go dtiocfaidh acmhainn táirgthe silicóin gránach baile 30000 tona in 2022, a fhreagraíonn do spás margaidh 1,8 billiún yuan. P díriú ar chur i bhfeidhm trealaimh CCZ: i Nollaig 2020, shínigh GCL comhaontú soláthair trealaimh le Tiantong Co., Ltd., go príomha le haghaidh feidhmiú ar mhórscála acmhainneachta silicóin ghránach; I mí Eanáir 2021, bhunaigh an dá thaobh comhghnóthas Xuzhou Xincheng, agus bhí 40% ag Tiantong. Soláthraíonn Tiantong do GCL 308 foirne chrostála aonair Czochralski do chumas táirgthe nua GCL d'ábhair shiilicóin ghránach a chur i bhfeidhm ar mhórscála.
n-type
1. Ingot single crystal: introduction to principle and advantages
Tugann sé isteach i gcuimhne monachristála: tagann ingóid amháin silicóin christála d'úsáid fhuairn ingóid póilchristála, ag cur critéal amháin síolta christála leis ar bhonn próisis cast ála coinbhinsiúnta polichristála d'ingóid, ag cruthú ingóid chearnach silicóin tar éis solúnú direach, agus ag déanamh ar deireadh caimhne silicóin christála amháin trí ghearradh cearnach, sciúradh agus naisc eile. Is lú ná leath de cheanglais íseala maidir le hábhair shiilicóin agus is lú ná leath de chostas na hábhair shiilicóin maidir le tarraingt choinbhinsiúnta de chrostail; Glactar le teicneolaíocht pholaithrystailíne, agus tomhaltas níos ísle cumhachta acu.
fadhbanna maidir le criostal aonair ingóit: is lú an éifeachtúlacht tiontaithe ná éifeachtúlacht an chrostail a tharraingt; \ 9313;Toradh aonair chrostail. GCL is a pioneer in the industry. It released "Xin single crystal" in 2011. Since then, it has been continuously improved, but it has not been popularized on a large scale. The reason is that the yield of single crystal is low, diluting the cost of silicon material and power consumption. I 2021, feabhsaithe ar bhonn traidisiúnta agus feabhsaithe tuilleadh ar an táirgeacht a rinne fiontair a raibh ionadaíocht acu ar ábhair chomhdhéanta Haiyuan agus ar Fhuinneamh Nua Jinyang.
2. Ingot single crystal: not subversion, but resource recycling
Is éard atá i gcríostal aonair Ingot ná forlíonadh ar chrostal aonair Czochralski. Is ceithre chatagóir iad na foinsí d'ábhair shíleachais a úsáidtear le haghaidh crústa aonair ingóid: ábhair shíleachais nach féidir a úsáid le haghaidh crústa aonair Czochralski, amhail ábhair cheann agus tail, ábhair briste, srl.; ② Scrap from slicing; Ábhair a thabhairt ar ais nach féidir a úsáid le haghaidh ábhar síliceach aonchrostailíne, amhail ábhair bhunúsacha póta; Comhpháirteanna scrúdaithe agus ábhair athchúrsáilte. Tá ábhar comhdhéanta Haiyuan mar cheannaire ar chrostal aonair a bhfuil a scairshealbhóir is mó aige Saiwei agus tá formheas faighte aige ar líne táirgthe 30000 tona tionscadail ábhair shiilicóin athchúrsáilte.
Name
Teicneolaíocht nua scillicóin: critéal aonair, n-chineál. Tá dhá phointe de dhá phointe ag teastáil ar an loighic i gcristal aonair ingóit: faoi láthair, is é praghas i gcristal aonair ingóit 182 3.9 yuan / píosa, at á níos lú ná siílicín christial aonair Czochralski agus a bhfuil feidhmíocht chostais soiléir aige. Mar sin féin, tá dhá cheangal ar gá tuilleadh a fhíorú: ar dtús, an bhfuil caillteanas éifeachtúlachta ar bhatarra aonair crustaíochta ingóite ingóite inghlactha. De réir na sonraí a nochtar ag comhdhúile GCL agus Haiyuan, tá caillteanas éifeachtúlachta ar bhatarra aonair crustaíochta ingóite 0,3-0,5% i gcomparáid le bhatarra aonair crustaíochta Czochralski; Ar an dara dul síos, cé acu a bhaineann táirgeacht chrostail aonair de chrostal aonair ingóta leis an leibhéal brabúis.
Is dócha go ndéanfaidh Ingot crystal single + hjt ionad perc go páirteach. De réir an ríomha, tá feidhmíocht chostais soiléir ag an gcristal aonair + hjt in ingót i gcomparáid le perc, agus is féidir leasanna éifeachtúlachta agus costais a bhaint amach ag an am céanna. (foinse tuarascála: tacar smaointe todhchaí)
Teicneolaíochtaí nua batárach: TOPCON, hjt, IBC agus perovskite
1. Struchtúr agus saintréithe bataire TOPCON
TOPCON (tunnel oxide passivated contact) usually adopts n-type structure. Compared with perc, the improvement is to increase the tunneling layer, which includes two layers: one is that the ultra-thin SiO2 of 1-2nm is used as the tunneling layer to achieve passivation, and the other is that the doped polysilicon layer of 100nm forms the back heterojunction structure.
Buntáistí: tá éifeachtúlacht athrú níos airde ná éifeachtúlacht perc agus is féidir é a bheith ag luí le líne táirgthe perc. Tá meánéifeachtúlacht athrú níos mó ná 24% in 2021.
míbhuntáistí: tá brú leanúnach uasghrádaithe ag an líne táirgthe; The process is complex and the yield is relatively low.
2. Iontráil i bpróiseas TOPCON
I gcomparáid le perc, tá dhá phríomhathrú ag TOPCON: is é struchtúr an bhatarra n-chineál amháin (difríocht bóróin ar an tosaigh athraíonn difríocht fosfóir agus is gá dopáil fosfóir le haghaidh nasc ardíseal ar an gcúl); Ar an dara dul síos, cuirtear sraith tuinníneachta (SiO2) agus sílicín póilchrostálach (Polí SI intíreach). Níor chríochnaigh próiseas TOPCON. The main difference lies in the difference between tunneling layer and polysilicon coating process. At present, the mainstream process is LPCVD + phosphorus diffusion.
3. Próiseas TOPCON: fadhbanna atá ann cheana agus comparáid theicniúil
Tá trí phríomhfhadhb ann i dtúschéim TOPCON: ar dtús, tá teocht an phróis is níos airde tar éis leathnú bóróin in ionad leathnú fosfóir; Ar an dara dul síos, tar éis tuinneáil ocsaídithe agus sraith póilsíliacu, is éasca plátáil a tharlaíonn agus is lú an comhionannas cóta; Ar an tríú dul síos, tá trealamh implantaithe íon coibhneasta costas. Le haon-aibíocht LPCVD, trealamh difríochta bóróin, difríocht fosfóir deiridh in ionad implantaithe ionta, agus plátáil rialaithe winding trí ghlanadh RCA nó masc aontaobhach, tá sé de choinne go mbeidh próiseas TOPCON cobhsaí, agus méadófar an táirgeacht ó 70-80% sa chéim luath go níos mó ná 95%.
PECVD process has obvious advantages and is currently in the process of industrial verification. Tá sé faoi fhíorú leanúnach faoi láthair.
Teicneolaíocht nua comhpháirte: comhoiriúnú próiseas sábhála sraitheach
1. Spás trealaimh: laghdaítear infheistíocht GW aonair go 63 milliún
Trealamh comhpháirteach: tagann trealamh comhpháirteach don trealamh a cheanglaíonn na píosaí batáraí i sraith agus i gcomhthreomhar le comhpháirteanna a bheidh ann, lena n-áirítear meaisín suaithe sraith, meaisín suaithe uathoibríoch bharra busa, meaisín lamináithe, meaisín triomaithe, téistitheoir El, meaisín frámála iomlán uathoibríoch, trealamh bosca ceannaithe, trealamh
Spás margaidh: faoi dheireadh 2020, laghdaíodh an infheistíocht i GW aonair de trealamh comhpháirteach go 63 milliún yuan, ar trealamh sraithmheaisíne soláthair é an croí. Ní mór líne táirgthe 250MW a bheith feistithe le ceithre mheaisíne soláthair sraithmheaisíne, agus is é praghas tacar aonair 1,35-1,5 milliún yuan, is é sin, is 20-24 milliún yuan é an infheistíocht i GW aonair de mheaisín soláthair sraithmheaisíne, is é an trea Meastar go ndéanfar cumas na gcomhpháirte a leathnú 95.1gw (182 + 210) in 2021, agus spás margaidh an trealaimh comhfhreagrach 6 billiún yuan agus spás margaidh an mheaisíne soláthair teaghrán comhfhreagrach 2 billiún yuan.
2. Aithriú teicneolaíochta an mheaisíne soláthair sraithe: MBB, mórmhéid, modúl heterojunction teicneolaíocht nua: comhoiriúnú próisis soláthair sraithe
MBB impact: series welding machine is a device that connects photovoltaic cells in series through welding strip. With the increase of cell size and the number of main grids, series welding machine equipment will meet the demand of upgrading. Cuireadh feabhas mór ar riachtanais na batáraí ilphríomhghréasáin le haghaidh cumais, cruinneachta agus cobhsaíochta soláthair an trealaimh. Nuair a uasghrádaítear 5bb go meaisín soláthair sraitheanna 9bb, ní mór an meaisín soláthair sraitheanna a chur in ionad agus úsáidtear sruth speisialta. Leanann 9bb de bheith uasghrádaithe trí uirlisí a chur in ionad.
Tionchar mór méid: ní mór an meaisín soláthair sraitheanna a uasghrádú go 182 agus 210 meaisín soláthair sraitheanna, agus ní mór an trealamh a athrú. 182 series welding machine can be upgraded to 210 series welding machine through transformation, but it cannot be transformed on site, and the productivity advantage is not obvious. Therefore, it is also dominated by replacing new models. Ní féidir leis an tsamhail 210 freastal ach amháin ar tháirgeadh 210 bataire, ach beidh sé ag luí leis an gcuid síos freisin, agus tá éifeachtúlacht táirgthe i gcoibhneas níos airde. Tá 182 agus 210 athrú tionchar sa chuid comhpháirteach den mheaisín soláthair sraitheanna.
Tionchar hjt: is próiseas ísealteochta é hjt sa phróiseas iomlán, mar sin ní mór an modh traidisiúnta soláthair sraitheanna ardteochta a athrú. Tá dearadh speisialta sraitheadra soláthair le haghaidh hjt ann, a thiomóidh an t-éileamh ar athnuachan trealaimh.

全国服务热线

全国服务热线全国服务热线

18188896190
  • 地址:东莞市松山湖中小企业园十一栋
  • 电话:18188896190
  • 邮箱:liusq@singfosolar.cn
  • 手机二维码
东莞市星火太阳能科技股份有限公司版权所有 / 备案号:粤ICP备14057282号 /  网站地图 / 百度统计  技术支持: 牛商股份